Статья от Toms Hardware делает очень хорошую работу по объяснению времени ОЗУ
- CAS, обычно расширяемый как строб адреса столбца (или иногда как выбор адреса столбца), который ссылается на столбец для некоторого места физической памяти в массиве, состоящем из столбцов и рядов конденсаторов, используемых в модулях динамической памяти с произвольным доступом (DRAM) (из которых все три типа ОЗУ в этом руководстве являются подтипами). Задержка CAS обычно появляется первой в временных последовательностях для ОЗУ и указывает число тактовых циклов, которые проходят между тем, когда контроллер памяти дает команду модулю памяти получить доступ к определенному столбцу в его текущей строке, и когда такой доступ создает данные, которые там находятся.
- Trcd или tRCD, обычно расширяемый как задержка RAS к CAS, где RAS расширяется как строб адреса строки, где R относится к строке для места физической памяти в массиве, состоящем из столбцов и рядов конденсаторов, используемых для модулей DRAM. Это значение указывает число тактовых циклов между строб-адресом строки (RAS) и CAS и представляет адрес строки для задержки адреса столбца для модуля памяти.
- Trp или tRP, обычно расширяемый как предварительная зарядка RAS, который представляет количество тактов, необходимых для завершения доступа к текущему ряду памяти, и начала доступа к следующему ряду памяти, так что tRP = время для предварительной зарядки строки.
- tRAS или Tras, обычно расширяемые как время доступа RAS, измеренное числом тактовых циклов, необходимых для доступа к определенной строке данных в DRAM между начальным запросом данных и командой предварительной зарядки, необходимой для начала следующего доступа к памяти. По определению, tRAS должно быть больше или равно CAS плюс tRCD, плюс два дополнительных цикла, чтобы оставить время для завершения доступа, когда они читают или записывают несколько бит памяти, которые DDR (2 бита), DDR2 ( 4 бита) и DDR3 (8 бит) - в меньшем или большем количестве.
Времена памяти ОЗУ обычно отображаются в виде последовательностей из четырех чисел, разделенных тире, как в 5-5-5-15. Это указывает на то, что значения CAS, tRCD и tRP равны пяти тактовым циклам, а значение tRAS равно 15 тактовым циклам. Говорят, что чем меньше число в этих последовательностях, тем меньше время памяти. Точно так же, как говорят, большие числа указывают на более слабое время. Проще говоря, более низкая задержка стоит дороже, более длительные временные интервалы стоят дороже, а комбинация этих двух затрат стоит больше всего, когда речь идет о памяти.
Я бы пошел с более короткими временами, они, как правило, быстрее, и разница в 166 МГц даже не будет заметна. На самом деле они оба настолько близки, что вы не заметите никакой разницы в скорости. Тот, у кого более высокий рейтинг Mhz, может быть лучше для разгона, так как он даст вам немного свободного пространства, так как современный Intel и все чипы AMD имеют встроенные контроллеры памяти, так что, если вы загрузите FSB, вы также будете перегружать оперативную память. Но опять же, это все личные предпочтения в зависимости от того, что вы будете делать с вашей системой. Любой из них подойдет, если вы просто строите стандартную систему, которую вы не планируете разгонять.